В двадцатых числах сентября на мероприятии World Manufacturing Convention в китайском городе Хэфэй председатель и исполнительный директор компании ChangXin Memory Technology Имин Зу (Yiming Zhu) сообщил, что его предприятие приступило к массовому производству самостоятельно разработанных микросхем оперативной памяти типа DRAM. Это производство неоднократно откладывалось. К концу третьего квартала ChangXin Memory решила все технологические проблемы и готова к концу года нарастить выпуск микросхем до 120 тысяч 300-мм пластин в месяц.
Bigstock/viperagp
Источник не уточняет, но речь, скорее всего, идёт о 8-Гбит чипах LPDDR4 с нормами производства 19 нм. Данные решения смогут закрыть для китайских производителей часть потребностей в оперативной памяти для смартфонов. Другой вопрос, появится ли эта память в мобильных устройствах, предназначенных для экспорта? Несмотря на уверения компании в полностью независимой разработке технологии производства микросхем LPDDR4 зарубежные эксперты и конкуренты могут усомниться в патентной чистоте этой китайской продукции.
Компания ChangXin Memory Technology пустила корни в 2016 году. Первоначально это был производитель под именем GigaDevice Semiconductor, потом компания была переименована в Innotron Memory и лишь сравнительно недавно она стала называться ChangXin Memory Technology (сокращённо ― CXMT). В общей сложности с 2016 года в разработчика и производителя было вложено около 150 млрд юаней ($21,2 млрд). Из этой суммы около $2,5 млрд было затрачено на исследования и разработки. На выходе получился продукт, который не слишком уступает зарубежным аналогам, хотя на пару поколений отстаёт от разработок Samsung, SK Hynix и Micron. Те уже начали или начинают массовое производство памяти с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм.
Нужно ли зарубежным производителям DRAM бояться китайцев? Ещё довольно долго китайские компании будут довольствоваться малой долей на мировом рынке DRAM. Недавно, например, аналитики TrendForce предсказали китайцам в 2020 году 3 % на рынке оперативной памяти. Но даже это может заставить США попытаться поставить барьеры китайской компании ChangXin Memory Technology, как это было сделано в отношении компании Fujian Jinhua Integrated Circuit.
Источник:
